BC856BLT3G

BC856BLT3G ON Semiconductor


bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BLT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC856BLT3G за ціною від 0.79 грн до 9.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12932+0.96 грн
13158+0.95 грн
13275+0.91 грн
15000+0.83 грн
30000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 12932
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30613+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 30613
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 365000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30613+1.02 грн
100000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 30613
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.59 грн
20000+1.46 грн
30000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9494+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 9494
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.70 грн
30000+2.69 грн
50000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.09 грн
1000+1.86 грн
5000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+3.83 грн
332+2.15 грн
335+2.13 грн
504+1.37 грн
507+1.26 грн
690+0.89 грн
1000+0.88 грн
3000+0.87 грн
6000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2841+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 2841
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.22 грн
66+4.83 грн
107+2.97 грн
500+2.01 грн
1000+1.75 грн
2000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+9.13 грн
183+4.67 грн
277+3.09 грн
1000+1.86 грн
5000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.