Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC856BLT3G
BC856BLT3G

BC856BLT3G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BLT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC856BLT3G за ціною від 0.77 грн до 9.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11364+1.07 грн
11719+1.04 грн
12097+1.01 грн
12500+0.94 грн
15000+0.84 грн
30000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 11364
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.22 грн
20000+0.99 грн
30000+0.98 грн
50000+0.93 грн
70000+0.86 грн
100000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.27 грн
20000+1.09 грн
30000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.52 грн
30000+1.34 грн
50000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 51810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.05 грн
1000+1.72 грн
5000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 380000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
153+3.97 грн
294+2.06 грн
320+1.89 грн
491+1.19 грн
497+1.09 грн
607+0.85 грн
1000+0.83 грн
3000+0.80 грн
6000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 32584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.75 грн
65+4.75 грн
105+2.93 грн
500+1.98 грн
1000+1.73 грн
2000+1.52 грн
5000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 51810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+8.83 грн
175+4.74 грн
271+3.05 грн
1000+1.72 грн
5000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 32197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+9.01 грн
79+4.31 грн
167+1.77 грн
1000+1.47 грн
2500+1.40 грн
10000+1.18 грн
20000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.