BC856BM3T5G ON Semiconductor
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 1.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BM3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC856BM3T5G за ціною від 1.52 грн до 19.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC856BM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 28646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 28646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC856BM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.265W Case: SOT723 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC856BM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 31169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 28946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC856BM3T5G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V PNP |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 31169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | Виробник : ON |
SOT723 |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
BC856BM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW |
товару немає в наявності |