BC856BM3T5G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 1.86 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BM3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC856BM3T5G за ціною від 1.93 грн до 19.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC856BM3T5G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BM3T5G | onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 4646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BM3T5G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.265W Case: SOT723 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 28946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BM3T5G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V PNP |
на замовлення 2483 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 4646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BC856BM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC856BM3T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 1.93 грн |
| BC856BM3T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 1.93 грн |
| BC856BM3T5G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 2.35 грн |
| 16000+ | 2.04 грн |
| BC856BM3T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2050+ | 7.19 грн |
| 2789+ | 5.29 грн |
| 3866+ | 3.81 грн |
| BC856BM3T5G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.38 грн |
| 38+ | 8.23 грн |
| 100+ | 5.04 грн |
| 500+ | 3.45 грн |
| 1000+ | 3.03 грн |
| 2000+ | 2.67 грн |
| BC856BM3T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 15.64 грн |
| 39+ | 11.11 грн |
| 46+ | 9.48 грн |
| 100+ | 4.99 грн |
| 473+ | 2.06 грн |
| 1299+ | 1.95 грн |
| BC856BM3T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 28946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 938+ | 15.72 грн |
| BC856BM3T5G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V PNP
Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V PNP
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.99 грн |
| 30+ | 10.62 грн |
| 100+ | 5.68 грн |
| 500+ | 4.01 грн |
| 1000+ | 3.56 грн |
| 2500+ | 3.10 грн |
| 5000+ | 2.65 грн |
| BC856BM3T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 19.31 грн |
| 67+ | 11.79 грн |
| 73+ | 10.90 грн |
| 109+ | 7.00 грн |
| 250+ | 6.42 грн |
| 500+ | 4.53 грн |
| 1000+ | 3.27 грн |
| 3000+ | 2.38 грн |
| BC856BM3T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856BM3T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)