BC856BMYL Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 0.1A SOT-883
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BMYL Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC856BMYL за ціною від 3.57 грн до 18.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC856BMYL | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC856BMYL | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 163601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC856BMYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC856BMYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| BC856BMYL | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BC856BMYL |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7426+ | 4.77 грн |
| BC856BMYL |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 163601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7426+ | 4.77 грн |
| 10000+ | 4.25 грн |
| 100000+ | 3.57 грн |
| BC856BMYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.95 грн |
| 112+ | 7.21 грн |
| BC856BMYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 18.85 грн |
| 74+ | 10.95 грн |
| 112+ | 7.21 грн |
| BC856BMYL |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7426+ | 4.77 грн |
| 10000+ | 4.25 грн |




