BC856BQB-QZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 79162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 3.48 грн |
| 10000+ | 3.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BQB-QZ Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 340 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC856BQB-QZ за ціною від 5.36 грн до 18.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC856BQB-QZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 65V .1A PNP BJT |
на замовлення 18011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BC856BQB-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 340 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 79162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BC856BQB-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| BC856BQB-QZ | Виробник : NEXPERIA |
BC856BQB-Q/SOT8015/DFN1110D-3 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
BC856BQB-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |