Продукція > NEXPERIA USA INC. > BC856BQB-QZ
BC856BQB-QZ

BC856BQB-QZ Nexperia USA Inc.

BC856XQB-Q_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.77 грн
10000+2.40 грн
15000+2.26 грн
25000+1.98 грн
35000+1.89 грн
50000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BQB-QZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 340 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC856BQB-QZ за ціною від 2.05 грн до 19.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BQB-QZ BC856BQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC856XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 83849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.29 грн
35+8.79 грн
100+5.46 грн
500+3.74 грн
1000+3.29 грн
2000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQB-QZ BC856BQB-QZ Виробник : Nexperia BC856XQB-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC856BQB-Q/SOT8015/DFN1110D-3
на замовлення 18440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.52 грн
26+13.08 грн
100+4.70 грн
1000+2.86 грн
5000+2.57 грн
10000+2.13 грн
25000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQB-QZ BC856BQB-QZ Виробник : Nexperia bc856xqb-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQB-QZ Виробник : NEXPERIA bc856xqb-q_ser.pdf BC856BQB-Q/SOT8015/DFN1110D-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.