Продукція > NEXPERIA USA INC. > BC856BQB-QZ
BC856BQB-QZ

BC856BQB-QZ Nexperia USA Inc.

BC856XQB-Q_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.85 грн
10000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BQB-QZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 340 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC856BQB-QZ за ціною від 3.00 грн до 21.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BQB-QZ BC856BQB-QZ Виробник : Nexperia bc856xqb-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5894+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 5894
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQB-QZ BC856BQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC856XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.72 грн
34+9.08 грн
100+5.60 грн
500+3.85 грн
1000+3.38 грн
2000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQB-QZ BC856BQB-QZ Виробник : Nexperia BC856XQB-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 17288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.03 грн
27+12.14 грн
100+6.43 грн
500+4.61 грн
1000+4.05 грн
2500+3.56 грн
5000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQB-QZ BC856BQB-QZ Виробник : Nexperia bc856xqb-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQB-QZ BC856BQB-QZ Виробник : Nexperia bc856xqb-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.