BC856BQC-QZ

BC856BQC-QZ Nexperia


bc856xqc-q_ser.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 29985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10490+1.17 грн
10639+1.15 грн
13762+0.89 грн
18073+0.65 грн
19737+0.55 грн
20271+0.52 грн
20548+0.51 грн
Мінімальне замовлення: 10490
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BQC-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC856BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC856BQC-QZ за ціною від 0.56 грн до 15.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : Nexperia bc856xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 25000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : Nexperia bc856xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 25000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : Nexperia bc856xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13514+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 13514
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : Nexperia bc856xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13514+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 13514
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : Nexperia bc856xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 25000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : Nexperia bc856xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 29985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4066+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 4066
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : Nexperia bc856xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 29985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+3.33 грн
348+2.01 грн
351+2.00 грн
560+1.21 грн
568+1.10 грн
734+0.82 грн
1000+0.62 грн
3000+0.57 грн
6000+0.56 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : NEXPERIA 3594603.pdf Description: NEXPERIA - BC856BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.71 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : NEXPERIA 3594603.pdf Description: NEXPERIA - BC856BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.76 грн
96+8.91 грн
154+5.52 грн
500+3.71 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : Nexperia BC856XQC-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP GP TRANS
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.18 грн
39+9.05 грн
100+4.92 грн
500+3.86 грн
1000+3.10 грн
2500+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC856XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.55 грн
35+9.22 грн
100+5.70 грн
500+3.92 грн
1000+3.45 грн
2000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : Nexperia bc856xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ Виробник : NEXPERIA bc856xqc-q_ser.pdf BC856BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC856XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.