BC856BQC-QZ Nexperia
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25000+ | 2.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BQC-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC856BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC856BQC-QZ за ціною від 1.25 грн до 22.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC856BQC-QZ | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC856BQC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC856BQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 29985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC856BQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC856BQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 29985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC856BQC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC856BQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC856BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3 |
на замовлення 14833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC856BQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
BC856BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3 |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |