Продукція > NEXPERIA > BC856BQCZ
BC856BQCZ

BC856BQCZ Nexperia

bc856xqc_ser.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5803+6.10 грн
10000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 5803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BQCZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC856BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 450mW, Verlustleistung: 450mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856xQC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC856BQCZ за ціною від 2.81 грн до 29.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC856BQCZ BC856BQCZ NEXPERIA 3627390.pdf Description: NEXPERIA - BC856BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.23 грн
500+6.40 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856BQCZ Nexperia USA Inc. BC856XQC_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
36+8.45 грн
100+5.26 грн
500+3.61 грн
1000+3.18 грн
2000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856BQCZ Nexperia BC856XQC_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP BJT
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.50 грн
27+12.15 грн
100+6.49 грн
500+4.63 грн
1000+4.00 грн
2500+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856BQCZ NEXPERIA 3627390.pdf Description: NEXPERIA - BC856BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.16 грн
49+16.75 грн
100+10.23 грн
500+6.40 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ 3627390.pdf
BC856BQCZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.23 грн
500+6.40 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856XQC_SER.pdf
BC856BQCZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.76 грн
36+8.45 грн
100+5.26 грн
500+3.61 грн
1000+3.18 грн
2000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856XQC_SER.pdf
BC856BQCZ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP BJT
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.50 грн
27+12.15 грн
100+6.49 грн
500+4.63 грн
1000+4.00 грн
2500+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ 3627390.pdf
BC856BQCZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
28+29.16 грн
49+16.75 грн
100+10.23 грн
500+6.40 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.