Технічний опис BC856BW,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC856BW,115 за ціною від 0.88 грн до 18.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BW,115 | Виробник : NXP |
Transistor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC856BW,115; BC856BW,135; BC856BW.115; BC856BW.135; BC856BW,115 NEXPERIA TBC856bw NXP кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 10198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 10240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 5250 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC856BW/SOT323/SC-70 |
на замовлення 23250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC856BW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - TRANSISTOR, PNP, 65V, 0.1A, SOT323 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC856BW,115 | Виробник : NXP |
TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |