на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BW,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC856BW,115 за ціною від 0.59 грн до 22.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC856BW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 14164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 10240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 121601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC856BW,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP B |
на замовлення 3959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC856BW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 14164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC856BW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC856BW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC856BW,115 | Виробник : NXP |
Transistor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC856BW,115; BC856BW,135; BC856BW.115; BC856BW.135; BC856BW,115 NEXPERIA TBC856bw NXPкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|




