Технічний опис BC856BW-QF Nexperia
Description: NEXPERIA - BC856BW-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 200mW, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC856BW-QF за ціною від 1.78 грн до 1.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC856BW-QF | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
BC856BW-QF | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
BC856BW-QF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
BC856BW-QF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 200mW Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC856BW-QF |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30000+ | 1.78 грн |
| BC856BW-QF |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20000+ | 1.95 грн |
| BC856BW-QF |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BW-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC856BW-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC856BW-QF |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BW-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC856BW-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)