BC856BW-QX

BC856BW-QX Nexperia USA Inc.


BC856W-Q_BC857W-Q_BC858W-Q.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BW-QX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC856BW-QX за ціною від 1.66 грн до 11.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BW-QX BC856BW-QX Виробник : Nexperia bc856w-q_bc857w-q_bc858w-q.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 906000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.02 грн
100000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BW-QX BC856BW-QX Виробник : Nexperia bc856w-q_bc857w-q_bc858w-q.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 498000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.02 грн
100000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BW-QX BC856BW-QX Виробник : Nexperia bc856w-q_bc857w-q_bc858w-q.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BW-QX BC856BW-QX Виробник : NEXPERIA 3671524.pdf Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BW-QX BC856BW-QX Виробник : Nexperia USA Inc. BC856W-Q_BC857W-Q_BC858W-Q.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.77 грн
56+5.65 грн
100+3.45 грн
500+2.34 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BW-QX BC856BW-QX Виробник : Nexperia BC856W-Q_BC857W-Q_BC858W-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP BJT
на замовлення 20631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.54 грн
56+6.23 грн
100+3.69 грн
500+2.56 грн
1000+2.26 грн
3000+1.88 грн
6000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BW-QX BC856BW-QX Виробник : NEXPERIA 3671524.pdf Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.32 грн
125+6.79 грн
184+4.61 грн
500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BW-QX Виробник : NEXPERIA bc856w-q_bc857w-q_bc858w-q.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BW-QX BC856BW-QX Виробник : Nexperia bc856w-q_bc857w-q_bc858w-q.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BW-QX Виробник : NEXPERIA BC856W-Q_BC857W-Q_BC858W-Q.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BW-QX Виробник : NEXPERIA BC856W-Q_BC857W-Q_BC858W-Q.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.