BC856BW-QX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BW-QX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC856BW-QX за ціною від 1.78 грн до 11.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC856BW-QX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW-QX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW-QX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 498000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BW-QX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BW-QX | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP BJT |
на замовлення 23320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BW-QX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC856BW-QX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BC856BW-QX | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
BC856BW-QX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |