Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC856BWT1G
BC856BWT1G

BC856BWT1G ON Semiconductor

bc856bwt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції BC856BWT1G за ціною від 0.91 грн до 12.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7353+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 7353
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6697+1.89 грн
6757+1.87 грн
9000+1.64 грн
15000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 6697
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.01 грн
6000+2.00 грн
9000+1.75 грн
15000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5377+2.35 грн
7463+1.69 грн
8721+1.45 грн
9616+1.27 грн
10639+1.06 грн
15000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 5377
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.00 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2476+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 2476
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+7.21 грн
171+4.24 грн
173+4.18 грн
284+2.46 грн
287+2.25 грн
500+1.56 грн
1000+1.33 грн
3000+1.21 грн
6000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.85 грн
60+6.99 грн
74+5.66 грн
129+3.23 грн
162+2.58 грн
1500+1.46 грн
2500+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.37 грн
58+5.82 грн
100+3.61 грн
500+2.45 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi BC856BWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 24624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+11.18 грн
57+6.52 грн
100+3.51 грн
500+2.56 грн
1000+2.40 грн
3000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5876 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.82 грн
36+8.71 грн
45+6.79 грн
78+3.87 грн
100+3.09 грн
1500+1.76 грн
2500+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+12.27 грн
124+7.27 грн
197+4.55 грн
500+3.00 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.