Продукція > ONSEMI > BC856BWT1G
BC856BWT1G

BC856BWT1G onsemi

BC856BWT1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.04 грн
6000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BWT1G onsemi

Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC856BWT1G за ціною від 1.57 грн до 21.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC856BWT1G BC856BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5640+2.55 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 5640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.75 грн
6000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5227+2.75 грн
6000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 5227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+3.07 грн
6000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
6000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4348+3.31 грн
6000+3.16 грн
9000+3.15 грн
27000+2.89 грн
51000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 4348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ONSEMI BC856BWT1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.88 грн
57+7.34 грн
65+6.42 грн
93+4.49 грн
110+3.81 грн
500+2.61 грн
607+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G onsemi BC856BWT1-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 85142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.14 грн
49+6.23 грн
100+3.79 грн
500+2.57 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G onsemi BC856BWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 94972 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
15+21.48 грн
34+9.10 грн
100+4.21 грн
500+2.88 грн
1000+2.51 грн
3000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G bc856bwt1d.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5640+2.55 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 5640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.75 грн
6000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5227+2.75 грн
6000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 5227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4688+3.07 грн
6000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.09 грн
6000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4348+3.31 грн
6000+3.16 грн
9000+3.15 грн
27000+2.89 грн
51000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 4348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1-D.PDF
BC856BWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.88 грн
57+7.34 грн
65+6.42 грн
93+4.49 грн
110+3.81 грн
500+2.61 грн
607+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1-D.PDF
BC856BWT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 85142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.14 грн
49+6.23 грн
100+3.79 грн
500+2.57 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1-D.PDF
BC856BWT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 94972 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.48 грн
34+9.10 грн
100+4.21 грн
500+2.88 грн
1000+2.51 грн
3000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G 2028689.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G 2028689.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.