Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC856BWT1G
BC856BWT1G

BC856BWT1G ON Semiconductor

bc856bwt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6697+1.93 грн
6757+1.91 грн
9000+1.68 грн
15000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 6697
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC856BWT1G за ціною від 1.23 грн до 20.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6303+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 6303
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6199+2.09 грн
6383+2.03 грн
9000+1.79 грн
15000+1.69 грн
21000+1.48 грн
30000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 6199
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3522+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3522
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3100+4.17 грн
6000+3.56 грн
9000+3.44 грн
27000+3.07 грн
51000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3100
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2451+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 2451
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+8.31 грн
125+5.95 грн
130+5.73 грн
187+3.83 грн
250+3.51 грн
500+2.65 грн
1000+2.30 грн
3000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.06 грн
81+5.22 грн
115+3.67 грн
133+3.17 грн
500+2.28 грн
1000+1.99 грн
1500+1.85 грн
3000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.43 грн
57+5.38 грн
100+3.34 грн
500+2.26 грн
1000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+11.90 грн
124+6.60 грн
194+4.21 грн
500+2.87 грн
1500+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.90 грн
124+6.60 грн
194+4.21 грн
500+2.87 грн
1500+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 14665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.30 грн
38+8.60 грн
100+3.98 грн
500+2.73 грн
1000+2.38 грн
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G Виробник : On Semiconductor BC856BWT1-D.pdf SOT323 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.