Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC856BWT1G
BC856BWT1G

BC856BWT1G ON Semiconductor

bc856bwt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції BC856BWT1G за ціною від 0.92 грн до 12.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.91 грн
6000+1.63 грн
9000+1.53 грн
15000+1.32 грн
21000+1.26 грн
30000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6697+1.91 грн
6757+1.89 грн
9000+1.66 грн
15000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 6697
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.03 грн
6000+2.01 грн
9000+1.77 грн
15000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5377+2.37 грн
7463+1.71 грн
8721+1.46 грн
9616+1.28 грн
10639+1.07 грн
15000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 5377
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.96 грн
1500+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3505+3.64 грн
6000+2.71 грн
9000+2.33 грн
27000+2.07 грн
51000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3505
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+7.27 грн
171+4.27 грн
173+4.22 грн
284+2.48 грн
287+2.27 грн
500+1.57 грн
1000+1.34 грн
3000+1.22 грн
6000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.71 грн
60+6.89 грн
74+5.58 грн
129+3.18 грн
162+2.54 грн
1500+1.44 грн
2500+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.22 грн
58+5.74 грн
100+3.56 грн
500+2.42 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi BC856BWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 24624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+11.02 грн
57+6.43 грн
100+3.46 грн
500+2.52 грн
1000+2.36 грн
3000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5926 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.66 грн
36+8.58 грн
45+6.69 грн
78+3.82 грн
100+3.05 грн
1500+1.73 грн
2500+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+12.10 грн
124+7.16 грн
197+4.49 грн
500+2.96 грн
1500+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.