Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC856BWT1G
BC856BWT1G

BC856BWT1G ON Semiconductor

bc856bwt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC856BWT1G за ціною від 0.88 грн до 10.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12196+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 12196
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7895+1.55 грн
8242+1.48 грн
9000+1.46 грн
27000+1.35 грн
51000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 7895
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7076+1.72 грн
18000+1.58 грн
27000+1.46 грн
36000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 7076
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.94 грн
6000+1.66 грн
9000+1.55 грн
15000+1.34 грн
21000+1.28 грн
30000+1.21 грн
75000+1.05 грн
150000+0.96 грн
300000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.71 грн
1500+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3606+3.38 грн
4747+2.57 грн
5598+2.18 грн
7615+1.55 грн
9678+1.13 грн
15000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3606
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2924+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 2924
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+6.33 грн
131+4.61 грн
133+4.58 грн
191+3.05 грн
250+2.81 грн
500+2.05 грн
1000+1.74 грн
3000+1.28 грн
6000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.08 грн
61+6.28 грн
76+5.06 грн
133+2.88 грн
167+2.30 грн
629+1.43 грн
1500+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.23 грн
128+6.46 грн
206+4.02 грн
500+2.71 грн
1500+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 360819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.35 грн
52+5.90 грн
100+3.62 грн
500+2.46 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 52273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.64 грн
61+5.58 грн
138+2.13 грн
1000+1.99 грн
3000+1.25 грн
9000+1.10 грн
24000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+10.89 грн
37+7.83 грн
46+6.07 грн
80+3.46 грн
100+2.76 грн
629+1.71 грн
1500+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.