Продукція > ONSEMI > BC856BWT1G
BC856BWT1G

BC856BWT1G ONSEMI

BC856BWT1-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
54+7.88 грн
59+7.13 грн
93+4.51 грн
123+3.41 грн
500+2.06 грн
1000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 46 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BWT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC856BWT1G за ціною від 2.21 грн до 10.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC856BWT1G BC856BWT1G onsemi BC856BWT1-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
50+6.04 грн
100+3.71 грн
500+2.52 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G onsemi BC856BWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 36779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1-D.PDF
BC856BWT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.19 грн
50+6.04 грн
100+3.71 грн
500+2.52 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1-D.PDF
BC856BWT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 36779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G bc856bwt1d.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.