BC856BWT1G

BC856BWT1G ON Semiconductor


bc856bwt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6697+1.94 грн
6757+1.92 грн
9000+1.69 грн
15000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 6697
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC856BWT1G за ціною від 1.08 грн до 11.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.07 грн
6000+2.05 грн
9000+1.80 грн
15000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3522+3.68 грн
4546+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3522
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3371+3.85 грн
6000+3.82 грн
9000+3.79 грн
27000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3371
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2451+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 2451
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+8.27 грн
127+5.87 грн
130+5.74 грн
187+3.84 грн
250+3.52 грн
500+2.62 грн
1000+2.25 грн
3000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.97 грн
76+5.50 грн
113+3.70 грн
135+3.11 грн
500+2.13 грн
1000+1.84 грн
1500+1.69 грн
3000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+10.42 грн
57+5.65 грн
100+3.18 грн
500+2.35 грн
1000+2.08 грн
3000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.77 грн
46+6.85 грн
68+4.44 грн
100+3.73 грн
500+2.56 грн
1000+2.21 грн
1500+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.06 грн
124+6.54 грн
198+4.09 грн
500+2.71 грн
1500+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.06 грн
124+6.54 грн
198+4.09 грн
500+2.71 грн
1500+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.