BC856S,125 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2
Type of transistor: PNP x2
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 1.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856S,125 NEXPERIA
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції BC856S,125 за ціною від 4.23 грн до 22.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC856S,125 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856S,125 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
BC856S,125 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 400mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
BC856S,125 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 400mW 6-Pin TSSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
BC856S,125 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
BC856S,125 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT363 65V .1A PNP/PNP BJT |
товару немає в наявності |


