Продукція > NEXPERIA > BC856S,125

BC856S,125 NEXPERIA

BC856S.pdf Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2
Type of transistor: PNP x2
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856S,125 NEXPERIA

Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Part Status: Active.

Інші пропозиції BC856S,125

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856S,125 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002912342-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BC856S,125 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856S,125 BC856S,125 Виробник : NEXPERIA bc856s.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 400mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856S,125 BC856S,125 Виробник : Nexperia bc856s.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 400mW 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856S,125 BC856S,125 Виробник : Nexperia USA Inc. BC856S.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856S,125 BC856S,125 Виробник : Nexperia BC856S.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT363 65V .1A PNP/PNP BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.