Продукція > NXP > BC856W/ZL115

BC856W/ZL115 NXP

PHGLS08627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP
Description: NXP - BC856W/ZL115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32051+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 32051
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856W/ZL115 NXP

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-323, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції BC856W/ZL115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856W/ZL115 BC856W/ZL115 Виробник : NXP USA Inc. PHGLS08627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-323
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.