
BC857AMB,315 Nexperia
на замовлення 46625264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14635+ | 2.08 грн |
100000+ | 1.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857AMB,315 Nexperia
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.
Інші пропозиції BC857AMB,315 за ціною від 1.98 грн до 19.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC857AMB,315 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BC857AMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 46613434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BC857AMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BC857AMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; DFN1006B-3,SOT883B Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: DFN1006B-3; SOT883B Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
BC857AMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BC857AMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; DFN1006B-3,SOT883B Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: DFN1006B-3; SOT883B Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |