BC857AMB,315 Nexperia
на замовлення 46634064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 5.32 грн |
| 10000+ | 4.75 грн |
| 100000+ | 3.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857AMB,315 Nexperia
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.
Інші пропозиції BC857AMB,315 за ціною від 4.02 грн до 27.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC857AMB,315 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC857AMB,315 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC857AMB/SOT883B/XQFN3 |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BC857AMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857AMB,315 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 46613434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
BC857AMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BC857AMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |