BC857AQAZ

BC857AQAZ Nexperia


bc857xqa_ser.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 145000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5837+5.55 грн
10000+4.94 грн
100000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 5837
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857AQAZ Nexperia

Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 280 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC857AQAZ за ціною від 3.07 грн до 24.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857AQAZ BC857AQAZ Виробник : Nexperia BC857XQA_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.77 грн
27+12.22 грн
100+6.50 грн
500+4.68 грн
1000+4.05 грн
2500+3.63 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQAZ Виробник : NXP Semiconductors BC857XQA_SER.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 147272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5837+5.55 грн
10000+4.94 грн
100000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 5837
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQAZ Виробник : NXP Semiconductors BC857XQA_SER.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5837+5.55 грн
10000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 5837
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQAZ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003107807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BC857AQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 145000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.21 грн
56+14.68 грн
100+9.21 грн
500+6.27 грн
1000+4.52 грн
5000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQAZ BC857AQAZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XQA_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQAZ BC857AQAZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XQA_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.