BC857AQB-QZ

BC857AQB-QZ Nexperia


BC857XQB-Q_SER.pdf Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC857AQB-Q/SOT8015/DFN1110D-3
на замовлення 4840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.38 грн
25+13.59 грн
100+6.68 грн
1000+3.38 грн
5000+2.57 грн
10000+2.13 грн
25000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857AQB-QZ Nexperia

Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 340 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC857AQB-QZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857AQB-QZ BC857AQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 340 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.