на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6913+ | 4.48 грн |
| 10000+ | 3.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857AQBAZ Nexperia
Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 340 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC857AQBAZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BC857AQBAZ | Виробник : NEXPERIA |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin DFN-D T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
BC857AQBAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
 |
BC857AQBAZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .1A PNP BJT |
товару немає в наявності |