BC857AQBAZ

BC857AQBAZ Nexperia


pgurl_15283002345343126.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857AQBAZ Nexperia

Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 340 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC857AQBAZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857AQBAZ Виробник : NEXPERIA pgurl_13995407626163026.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQBAZ BC857AQBAZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XQB_SER.pdf Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 340 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQBAZ BC857AQBAZ Виробник : Nexperia BC857XQB_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.