BC857AQC-QZ

BC857AQC-QZ Nexperia


bc857xqc-q_ser.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6522+1.87 грн
6579+1.85 грн
6667+1.83 грн
7773+1.51 грн
10490+1.04 грн
12097+0.86 грн
15000+0.83 грн
30000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 6522
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857AQC-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC857AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BC857AQC-QZ за ціною від 0.92 грн до 15.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857AQC-QZ BC857AQC-QZ Виробник : Nexperia bc857xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13514+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 13514
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQC-QZ BC857AQC-QZ Виробник : NEXPERIA 3651046.pdf Description: NEXPERIA - BC857AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.88 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQC-QZ BC857AQC-QZ Виробник : Nexperia bc857xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+3.43 грн
264+2.29 грн
265+2.28 грн
268+2.17 грн
431+1.25 грн
435+1.19 грн
500+1.18 грн
1000+1.11 грн
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQC-QZ BC857AQC-QZ Виробник : NEXPERIA 3651046.pdf Description: NEXPERIA - BC857AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+12.82 грн
128+6.54 грн
247+3.37 грн
500+2.88 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQC-QZ BC857AQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.26 грн
34+9.28 грн
100+5.78 грн
500+3.97 грн
1000+3.49 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQC-QZ BC857AQC-QZ Виробник : Nexperia bc857xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQC-QZ BC857AQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQC-QZ BC857AQC-QZ Виробник : Nexperia BC857XQC-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.