Продукція > NEXPERIA > BC857AQCZ
BC857AQCZ

BC857AQCZ Nexperia

nexperia_selection_guide_2021.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 325mW 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5803+6.10 грн
10000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 5803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857AQCZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC857AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 450mW, Verlustleistung: 450mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xQC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC857AQCZ за ціною від 4.20 грн до 28.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC857AQCZ BC857AQCZ Nexperia nexperia_selection_guide_2021.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 325mW 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5803+6.10 грн
10000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 5803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQCZ BC857AQCZ NEXPERIA 3627391.pdf Description: NEXPERIA - BC857AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.75 грн
500+7.03 грн
1000+5.48 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQCZ BC857AQCZ NEXPERIA 3627391.pdf Description: NEXPERIA - BC857AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.19 грн
55+14.82 грн
100+9.75 грн
500+7.03 грн
1000+5.48 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQCZ nexperia_selection_guide_2021.pdf
BC857AQCZ
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 325mW 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5803+6.10 грн
10000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 5803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQCZ 3627391.pdf
BC857AQCZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.75 грн
500+7.03 грн
1000+5.48 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AQCZ 3627391.pdf
BC857AQCZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+28.19 грн
55+14.82 грн
100+9.75 грн
500+7.03 грн
1000+5.48 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.