BC857BFZ-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 9.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BFZ-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung: 925mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X2-DFN0606, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 270MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC857BFZ-7B за ціною від 9.20 грн до 70.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BFZ-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857BFZ-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 925mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 270MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 17495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BFZ-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0606-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 435 mW |
на замовлення 11760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BFZ-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 925mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 270MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 17495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857BFZ-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans -100mA 45Vceo 0.435W 175mV |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|