BC857BLP4-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.10 грн |
| 12+ | 26.67 грн |
| 100+ | 17.08 грн |
| 500+ | 12.13 грн |
| 1000+ | 10.87 грн |
| 2000+ | 9.81 грн |
| 5000+ | 8.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BLP4-7B Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.
Інші пропозиції BC857BLP4-7B за ціною від 9.56 грн до 64.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857BLP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BLP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BC857BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC857BLP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|