Продукція > NEXPERIA > BC857BM,315
BC857BM,315

BC857BM,315 Nexperia

bc857mseries.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 23849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4545+0.86 грн
6000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 4545
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857BM,315 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857M, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BC857BM,315 за ціною від 0.95 грн до 16.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia 1511480344549483bc857m_series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12821+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 12821
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia 157bc857m_series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7143+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 7143
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.78 грн
20000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.94 грн
20000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia 157bc857m_series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.42 грн
40000+2.21 грн
60000+2.06 грн
80000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia 157bc857m_series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : NEXPERIA PIRSS03136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.56 грн
1000+2.36 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 23849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4545+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 4545
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 23849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4545+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 4545
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia USA Inc. BC857M_SERIES.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
36+8.66 грн
100+5.38 грн
500+3.69 грн
1000+3.25 грн
2000+2.88 грн
5000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : NEXPERIA PIRSS03136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.94 грн
92+9.00 грн
139+5.97 грн
500+3.56 грн
1000+2.36 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia BC857M_SERIES.pdf Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistor
на замовлення 23339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.31 грн
36+9.64 грн
100+5.30 грн
500+3.68 грн
1000+2.65 грн
2500+2.28 грн
5000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : NEXPERIA 1511480344549483bc857m_series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 Виробник : NEXPERIA BC857M_SERIES.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 430mW; DFN1006-3,SOT883
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.43W
Case: DFN1006-3; SOT883
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 BC857BM,315 Виробник : Nexperia USA Inc. BC857M_SERIES.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BM,315 Виробник : NEXPERIA BC857M_SERIES.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 430mW; DFN1006-3,SOT883
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.43W
Case: DFN1006-3; SOT883
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.