BC857BM,315 Nexperia
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12821+ | 0.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BM,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857M, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC857BM,315 за ціною від 0.62 грн до 15.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 23849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 23849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 23849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BC857BM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
BC857BM,315 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC857BM/SOT883/XQFN3 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BC857BM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 430mW; DFN1006-3,SOT883 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.43W Case: DFN1006-3; SOT883 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 220...475 |
товару немає в наявності |



