BC857BMB,315 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xMB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.25 грн |
| 1000+ | 3.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BMB,315 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xMB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC857BMB,315 за ціною від 1.62 грн до 16.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857BMB,315 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC857BMB/SOT883B/XQFN3 |
на замовлення 469559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857BMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 9622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xMB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857BMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BC857BMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC857BMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC857BMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |