BC857BMB,315

BC857BMB,315 Nexperia USA Inc.


BC857XMB_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.12 грн
37+8.98 грн
100+5.53 грн
500+3.79 грн
1000+3.34 грн
2000+2.95 грн
5000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857BMB,315 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006B, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xMB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC857BMB,315 за ціною від 3.34 грн до 29.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : Nexperia BC857XMB_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857BMB/SOT883B/XQFN3
на замовлення 176516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.83 грн
28+13.21 грн
50+8.15 грн
100+7.06 грн
1000+4.89 грн
2500+3.73 грн
5000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0006011396-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xMB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+29.44 грн
60+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0006011396-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xMB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : NEXPERIA bc857xmb_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : Nexperia bc857xmb_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : Nexperia bc857xmb_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XMB_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.