BC857BQAZ Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6508+ | 5.44 грн |
| 10000+ | 4.86 грн |
| 100000+ | 4.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BQAZ Nexperia
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 280 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC857BQAZ за ціною від 4.54 грн до 6.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857BQAZ | Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 280 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 150323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BC857BQAZ | NXP Semiconductors |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3 |
на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
BC857BQAZ | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
BC857BQAZ | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 112753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BC857BQAZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC857BQA/SOT1215/DFN1010D-3 |
на замовлення 8870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BC857BQAZ | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 12570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| BC857BQAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC857BQAZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3877+ | 5.45 грн |
| BC857BQAZ |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3877+ | 5.45 грн |
| BC857BQAZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5837+ | 6.08 грн |
| 10000+ | 5.41 грн |
| BC857BQAZ |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 112753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5837+ | 6.08 грн |
| 10000+ | 5.41 грн |
| 100000+ | 4.54 грн |
| BC857BQAZ |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC857BQA/SOT1215/DFN1010D-3
Bipolar Transistors - BJT BC857BQA/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 8870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC857BQAZ |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 12570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5837+ | 6.08 грн |
| 10000+ | 5.41 грн |
| BC857BQAZ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857BQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BC857BQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)