BC857BQCZ

BC857BQCZ Nexperia USA Inc.


BC857XQC_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.81 грн
10000+2.43 грн
15000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857BQCZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC857BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xQC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BC857BQCZ за ціною від 1.79 грн до 17.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857BQCZ BC857BQCZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XQC_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
35+8.94 грн
100+5.52 грн
500+3.79 грн
1000+3.33 грн
2000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BQCZ BC857BQCZ Виробник : NEXPERIA 3627391.pdf Description: NEXPERIA - BC857BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.29 грн
79+10.46 грн
127+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BQCZ BC857BQCZ Виробник : Nexperia BC857XQC_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP general purpose double transistor
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.90 грн
32+10.63 грн
100+5.80 грн
500+4.18 грн
1000+3.30 грн
2500+2.94 грн
5000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BQCZ BC857BQCZ Виробник : NEXPERIA BC857XQC_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC857BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BQCZ Виробник : Nexperia BC857XQC_SER.pdf BC857BQCZ
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14219+2.14 грн
100000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 14219
В кошику  од. на суму  грн.