BC857BU3HZGT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3158+ | 3.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC857BU3HZGT106 за ціною від 2.64 грн до 22.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857BU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857BU3HZGT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -45V -100mA, General Purpose Transistor |
на замовлення 3071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BC857BU3HZGT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BC857BU3HZGT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 210...480 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 210...480 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |