BC857BU3HZGT106

BC857BU3HZGT106 Rohm Semiconductor


datasheet?p=BC857BU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857BU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC857BU3HZGT106 за ціною від 2.57 грн до 22.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857BU3HZGT106 BC857BU3HZGT106 Виробник : ROHM bc857bu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.83 грн
1500+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3HZGT106 BC857BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bc857bu3hzgt106-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1029+13.21 грн
2000+8.32 грн
3000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 1029
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3HZGT106 BC857BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BC857BU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.41 грн
27+11.87 грн
100+7.37 грн
500+5.09 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3HZGT106 BC857BU3HZGT106 Виробник : ROHM bc857bu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.76 грн
64+13.37 грн
155+5.49 грн
500+4.83 грн
1500+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3HZGT106 BC857BU3HZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BC857BU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -45V -100mA, General Purpose Transistor
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.19 грн
27+13.19 грн
100+4.60 грн
1000+4.15 грн
3000+3.09 грн
9000+2.94 грн
24000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3HZGT106 BC857BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bc857bu3hzgt106-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3HZGT106 BC857BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bc857bu3hzgt106-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3HZGT106 BC857BU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor bc857bu3hzgt106-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3HZGT106 BC857BU3HZGT106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BC857BU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 210...480
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3HZGT106 BC857BU3HZGT106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BC857BU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 210...480
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.