BC857BU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.17 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC857BU3HZGT106 за ціною від 3.81 грн до 26.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC857BU3HZGT106 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT SOT-323 BIPOLAR BJT PNP |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC857BU3HZGT106 | ROHM |
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | ROHM |
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 549 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1852 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC857BU3HZGT106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 968+ | 14.75 грн |
| 1454+ | 9.82 грн |
| 2030+ | 7.03 грн |
| 2684+ | 5.13 грн |
| BC857BU3HZGT106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.10 грн |
| 25+ | 11.91 грн |
| 100+ | 7.41 грн |
| 500+ | 5.12 грн |
| 1000+ | 4.53 грн |
| BC857BU3HZGT106 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT SOT-323 BIPOLAR BJT PNP
Bipolar Transistors - BJT SOT-323 BIPOLAR BJT PNP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.06 грн |
| 23+ | 13.23 грн |
| 100+ | 7.18 грн |
| 500+ | 5.28 грн |
| 1000+ | 4.69 грн |
| 3000+ | 3.81 грн |
| BC857BU3HZGT106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.68 грн |
| 52+ | 14.75 грн |
| 100+ | 9.82 грн |
| 500+ | 6.78 грн |
| 1000+ | 4.75 грн |
| BC857BU3HZGT106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1069+ | 26.54 грн |
| BC857BU3HZGT106 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC857BU3HZGT106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC857BU3HZGT106 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC857BU3HZGT106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC857BU3HZGT106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)