BC857BU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC857BU3HZGT106 за ціною від 3.43 грн до 23.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857BU3HZGT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC857BU3HZGT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT SOT-323 BIPOLAR BJT PNP |
на замовлення 6412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC857BU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BC857BU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |