BC857BU3T106 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 210hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.95 грн |
| 117+ | 6.93 грн |
| 500+ | 4.55 грн |
| 1000+ | 3.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BU3T106 ROHM
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 210hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 200mW, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC857BU3T106 за ціною від 2.97 грн до 22.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC857BU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3 Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC857BU3T106 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -45V -100mA, General Purpose Transistor |
на замовлення 3594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
у наявності 100 шт: |
Мінімальне замовлення: 84 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 84 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1924 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC857BU3T106 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 18.69 грн |
| 74+ | 10.95 грн |
| 117+ | 6.93 грн |
| 500+ | 4.55 грн |
| 1000+ | 3.71 грн |
| BC857BU3T106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.42 грн |
| 26+ | 11.52 грн |
| 100+ | 7.18 грн |
| 500+ | 4.96 грн |
| 1000+ | 4.38 грн |
| BC857BU3T106 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -45V -100mA, General Purpose Transistor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -45V -100mA, General Purpose Transistor
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.87 грн |
| 24+ | 13.73 грн |
| 100+ | 7.46 грн |
| 500+ | 5.52 грн |
| 1000+ | 4.21 грн |
| 3000+ | 3.59 грн |
| 6000+ | 2.97 грн |
| BC857BU3T106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC857BU3T106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
у наявності 100 шт:
| BC857BU3T106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC857BU3T106 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)