Продукція > ROHM > BC857BU3T106
BC857BU3T106

BC857BU3T106 ROHM


bc857bu3t106-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 210hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.63 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857BU3T106 ROHM

Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 210hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC857BU3T106 за ціною від 2.80 грн до 21.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857BU3T106 BC857BU3T106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BC857BU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
26+11.80 грн
100+7.36 грн
500+5.08 грн
1000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3T106 BC857BU3T106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=BC857BU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP General purpose transistor. BC857BU3 is bipolar transistor for audio frequency small signal amplifier.
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.20 грн
27+12.94 грн
100+4.63 грн
1000+4.12 грн
3000+3.75 грн
9000+2.87 грн
24000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3T106 BC857BU3T106 Виробник : ROHM bc857bu3t106-e.pdf Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.29 грн
63+13.12 грн
100+8.25 грн
500+5.63 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3T106 BC857BU3T106 Виробник : Rohm Semiconductor bc857bu3t106-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3T106 BC857BU3T106 Виробник : Rohm Semiconductor bc857bu3t106-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BU3T106 BC857BU3T106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=BC857BU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.