BC857BV,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.01 грн |
| 8000+ | 5.25 грн |
| 12000+ | 4.98 грн |
| 20000+ | 4.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BV,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC857BV,115 за ціною від 6.03 грн до 58.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 23486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC857BV/SOT666/SOT6 |
на замовлення 148945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |