BC857BV,115

BC857BV,115 Nexperia


bc857bv.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2484+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 2484
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857BV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC857BV,115 за ціною від 6.68 грн до 39.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857BV,115 BC857BV,115 Виробник : Nexperia bc857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2484+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 2484
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BV,115 BC857BV,115 Виробник : Nexperia bc857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2484+12.52 грн
10000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 2484
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BV,115 BC857BV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BC857BV.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.03 грн
16+20.38 грн
50+14.71 грн
100+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BV,115 BC857BV,115 Виробник : Nexperia BC857BV.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857BV/SOT666/SOT6
на замовлення 151595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+39.30 грн
15+24.35 грн
50+14.89 грн
100+13.35 грн
1000+9.28 грн
2000+7.21 грн
4000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BV,115 BC857BV,115 Виробник : NEXPERIA 673455.pdf Description: NEXPERIA - BC857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BV,115 BC857BV,115 Виробник : NEXPERIA 673455.pdf Description: NEXPERIA - BC857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BV,115 BC857BV,115 Виробник : NEXPERIA bc857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BV,115 BC857BV,115 Виробник : Nexperia bc857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BV,115 BC857BV,115 Виробник : Nexperia bc857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BV,115 BC857BV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BC857BV.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.