BC857BW,115 NXP
Виробник: NXP
Transistor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC857BW,115; BC857BW.115; BC857BW.135; BC857BW,135; BC857BW SMD; BC857BW,115 NEXPERIA TBC857bw NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BW,115 NXP
Description: NEXPERIA - BC857BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC857BW,115 за ціною від 1.04 грн до 18.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857BW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 6560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857BW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 36974 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857BW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857BW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 19849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857BW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 19849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857BW,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC857BW/SOT323/SC-70 |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857BW,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| BC857BW.115 | Виробник : NXP | SOT323 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
|
BC857BW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |