Продукція > NXP USA INC. > BC857C/DG/B4235
BC857C/DG/B4235

BC857C/DG/B4235 NXP USA Inc.


BC856W_BC857W_BC858W.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3328+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3328
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857C/DG/B4235 NXP USA Inc.

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.

Інші пропозиції BC857C/DG/B4235 за ціною від 10.07 грн до 10.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857C/DG/B4235 Виробник : NXP BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: NXP - BC857C/DG/B4235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4006+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 4006
В кошику  од. на суму  грн.