
BC857C-QR Nexperia
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11195+ | 2.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857C-QR Nexperia
Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC857C-QR за ціною від 0.88 грн до 8.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC857C-QR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1800000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC857C-QR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 26197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC857C-QR | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC857C-QR | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC857C-QR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC857C-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BC857C-QR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry |
товару немає в наявності |