Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC857CDW1T1G
BC857CDW1T1G

BC857CDW1T1G ON Semiconductor

bc856bdw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857CDW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Dauerkollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Verlustleistung, PNP: 250mW, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-363, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, rohsCompliant: YES, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Verlustleistung, NPN: -, Qualifikation: AEC-Q101, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, Transistormontage: Oberflächenmontage, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC857CDW1T1G за ціною від 2.14 грн до 15.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.68 грн
6000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3425+3.61 грн
6000+3.23 грн
9000+3.03 грн
15000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3425
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.89 грн
6000+3.47 грн
9000+3.25 грн
15000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Dauerkollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 250mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
rohsCompliant: YES
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Verlustleistung, NPN: -
Qualifikation: AEC-Q101
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
Transistormontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.03 грн
1500+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.22 грн
40+7.95 грн
100+4.89 грн
500+3.35 грн
1000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 13598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+14.52 грн
42+8.52 грн
100+4.66 грн
500+3.51 грн
1000+3.05 грн
3000+2.44 грн
6000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+15.59 грн
91+9.51 грн
146+5.90 грн
500+4.03 грн
1500+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G
Код товару: 40507
Додати до обраних Обраний товар

bc856bdw1t1-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.