Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > BC857CDW1T1G
BC857CDW1T1G

BC857CDW1T1G

BC856BDW1T1-D.PDF
Код товару: 40507
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BC857CDW1T1G за ціною від 1.48 грн до 14.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+2.83 грн
477+1.58 грн
510+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
39+7.84 грн
100+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.82 грн
119+6.79 грн
162+4.97 грн
500+3.40 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz, NPN: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 250mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Bauform - Transistor: SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
Verlustleistung: 380mW
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Verlustleistung, NPN: -
Qualifikation: AEC-Q101
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.82 грн
119+6.79 грн
162+4.97 грн
500+3.40 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.55 грн
38+8.40 грн
100+4.48 грн
500+3.86 грн
1000+2.89 грн
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC857CDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
267+2.83 грн
477+1.58 грн
510+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC857CDW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.17 грн
39+7.84 грн
100+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G 2140510.pdf
BC857CDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
59+13.82 грн
119+6.79 грн
162+4.97 грн
500+3.40 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G 2140510.pdf
BC857CDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz, NPN: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 250mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Bauform - Transistor: SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
Verlustleistung: 380mW
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Verlustleistung, NPN: -
Qualifikation: AEC-Q101
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.82 грн
119+6.79 грн
162+4.97 грн
500+3.40 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC857CDW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.55 грн
38+8.40 грн
100+4.48 грн
500+3.86 грн
1000+2.89 грн
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G bc856bdw1t1-d.pdf
BC857CDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.