Інші пропозиції BC857CDW1T1G за ціною від 1.45 грн до 14.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857CDW1T1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC857CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC857CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC857CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC857CDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Dauerkollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, PNP: 250mW DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-363 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW rohsCompliant: YES Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Verlustleistung, NPN: - Qualifikation: AEC-Q101 Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V Transistormontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC857CDW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 6455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC857CDW1T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC857CDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 250mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC857CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BC857CDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BC857CDW1T1G | Виробник : On Semiconductor |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
BC857CDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |