Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC857CDW1T1G
BC857CDW1T1G

BC857CDW1T1G ON Semiconductor

bc856bdw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857CDW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, Verlustleistung, PNP: 250mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC857CDW1T1G за ціною від 1.33 грн до 14.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.12 грн
9000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5396+2.27 грн
9000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 5396
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.68 грн
6000+ 2.3 грн
9000+ 2.16 грн
15000+ 1.87 грн
21000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.82 грн
1500+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3100+3.96 грн
4167+ 2.94 грн
5598+ 2.19 грн
9000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3100
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+12.16 грн
96+ 8.51 грн
168+ 4.85 грн
500+ 2.82 грн
1500+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 67
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 22890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+13.29 грн
39+ 7.91 грн
100+ 4.88 грн
500+ 3.34 грн
1000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+13.4 грн
77+ 7.92 грн
166+ 3.67 грн
1000+ 2.63 грн
3000+ 1.82 грн
9000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 46
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : onsemi BC856BDW1T1_D-2310270.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+14.93 грн
37+ 9.06 грн
100+ 3.54 грн
1000+ 2.67 грн
3000+ 2.1 грн
9000+ 1.73 грн
24000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 23
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G
Код товару: 40507 		bc856bdw1t1-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товар відсутній