BC857CLT1G


BC856ALT1-D.PDF
Код товару: 46298
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857CLT1G

  • Bipolar Transistor
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):420V
  • Power Dissipation, Pd:0.3W
  • DC Current Gain Min (hfe):420
  • Package/Case:SOT-23

Інші пропозиції BC857CLT1G за ціною від 0.99 грн до 16.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC857CLT1G BC857CLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf description Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.30 грн
6000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf description Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11112+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 11112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF description Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.56 грн
6000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf description Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4855+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 4855 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF description Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
63+4.78 грн
102+2.94 грн
500+1.99 грн
1000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf description Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+12.17 грн
108+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 16597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.42 грн
93+4.48 грн
110+3.79 грн
125+3.34 грн
141+2.96 грн
250+2.54 грн
500+2.23 грн
906+1.05 грн
2491+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
на замовлення 225163 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
20+16.23 грн
45+6.86 грн
100+3.16 грн
500+2.13 грн
1000+1.99 грн
3000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF description Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 27390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF description Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 27390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G description bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.30 грн
6000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G description bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11112+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 11112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G description BC856ALT1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.56 грн
6000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G description bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4855+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 4855 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G description BC856ALT1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.54 грн
63+4.78 грн
102+2.94 грн
500+1.99 грн
1000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G description bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+12.17 грн
108+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G description BC856_7_8.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 16597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.42 грн
93+4.48 грн
110+3.79 грн
125+3.34 грн
141+2.96 грн
250+2.54 грн
500+2.23 грн
906+1.05 грн
2491+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G description BC856ALT1-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
на замовлення 225163 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.23 грн
45+6.86 грн
100+3.16 грн
500+2.13 грн
1000+1.99 грн
3000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G description BC856ALT1-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 27390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G description BC856ALT1-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 27390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.