Продукція > ONSEMI > BC857CLT1G
BC857CLT1G

BC857CLT1G ONSEMI


ONSM-S-A0011040462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.65 грн
9000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857CLT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC857CLT1G за ціною від 1.02 грн до 151.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7813+1.66 грн
7895+1.65 грн
9000+1.50 грн
15000+1.30 грн
21000+1.20 грн
30000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 7813
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.78 грн
6000+1.76 грн
9000+1.61 грн
15000+1.39 грн
21000+1.28 грн
30000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+5.72 грн
213+3.50 грн
215+3.46 грн
351+2.04 грн
356+1.86 грн
593+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
43+7.78 грн
69+4.68 грн
112+2.53 грн
500+1.90 грн
1000+1.61 грн
3000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+8.93 грн
148+5.54 грн
240+3.42 грн
500+2.34 грн
1500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.93 грн
148+5.54 грн
240+3.42 грн
500+2.34 грн
1500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G Виробник : ON-Semiconductor bc856alt1-d.pdf PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR TBC857c ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G Виробник : On Semiconductor bc856alt1-d.pdf SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=270, -55...+150
на замовлення 134 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G
Код товару: 46298
Додати до обраних Обраний товар

bc856alt1-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.