Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC857CLT3G
BC857CLT3G

BC857CLT3G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857CLT3G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 300 mW.

Інші пропозиції BC857CLT3G за ціною від 1.40 грн до 8.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC857CLT3G BC857CLT3G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
58+5.24 грн
100+3.23 грн
500+2.19 грн
1000+1.91 грн
2000+1.68 грн
5000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT3G BC857CLT3G onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 45V 100mA PNP SILCON
на замовлення 109771 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT3G ONSEMI ONSMS38162-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC857CLT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT3G BC856ALT1-D.PDF
BC857CLT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.54 грн
58+5.24 грн
100+3.23 грн
500+2.19 грн
1000+1.91 грн
2000+1.68 грн
5000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT3G BC856ALT1-D.PDF
BC857CLT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 45V 100mA PNP SILCON
на замовлення 109771 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT3G ONSMS38162-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CLT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.