BC857CM,315 Nexperia
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7426+ | 4.77 грн |
| 10000+ | 4.25 грн |
| 100000+ | 3.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857CM,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 430mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1006, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857M, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC857CM,315 за ціною від 2.73 грн до 40.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC857CM,315 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 215539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC857CM,315 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC857CM,315 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC857CM,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 430mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC857CM,315 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT883 45V .1A PNP B JT |
на замовлення 7294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC857CM,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 430mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BC857CM,315 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BC857CM,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 215539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7426+ | 4.77 грн |
| 10000+ | 4.25 грн |
| 100000+ | 3.57 грн |
| BC857CM,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7426+ | 4.77 грн |
| 10000+ | 4.25 грн |
| BC857CM,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 13.98 грн |
| 37+ | 8.30 грн |
| 100+ | 5.12 грн |
| 500+ | 3.51 грн |
| 1000+ | 3.09 грн |
| 2000+ | 2.73 грн |
| BC857CM,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 430mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 430mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.62 грн |
| 500+ | 10.69 грн |
| 1000+ | 8.15 грн |
| BC857CM,315 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT883 45V .1A PNP B JT
Bipolar Transistors - BJT SOT883 45V .1A PNP B JT
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.34 грн |
| 27+ | 11.91 грн |
| 100+ | 7.66 грн |
| 500+ | 6.56 грн |
| 1000+ | 5.73 грн |
| BC857CM,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 430mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 430mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 40.27 грн |
| 46+ | 17.80 грн |
| 100+ | 15.62 грн |
| 500+ | 10.69 грн |
| 1000+ | 8.15 грн |
| BC857CM,315 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7426+ | 4.77 грн |






