BC857CQAZ Nexperia
на замовлення 19251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14286+ | 2.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857CQAZ Nexperia
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 280 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC857CQAZ за ціною від 1.79 грн до 20.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC857CQAZ | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857CQAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 280 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857CQAZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC857CQAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 175000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC857CQAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857CQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BC857CQAZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC857CQAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 280 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |