BC857CQC-QZ

BC857CQC-QZ NEXPERIA


3651046.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 420hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.74 грн
1000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857CQC-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC857CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 420hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC857CQC-QZ за ціною від 1.76 грн до 15.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857CQC-QZ BC857CQC-QZ Виробник : Nexperia bc857xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4250+2.86 грн
4425+2.75 грн
4630+2.63 грн
4839+2.43 грн
5068+2.14 грн
6000+1.95 грн
15000+1.86 грн
30000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 4250
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CQC-QZ BC857CQC-QZ Виробник : Nexperia bc857xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
196+3.09 грн
203+2.98 грн
210+2.87 грн
218+2.67 грн
227+2.37 грн
250+2.19 грн
500+2.09 грн
1000+2.00 грн
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CQC-QZ BC857CQC-QZ Виробник : NEXPERIA 3651046.pdf Description: NEXPERIA - BC857CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+13.17 грн
94+8.81 грн
227+3.63 грн
500+2.74 грн
1000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CQC-QZ BC857CQC-QZ Виробник : Nexperia BC857XQC-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857CQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
на замовлення 14455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.64 грн
44+7.68 грн
100+3.45 грн
1000+2.86 грн
10000+2.64 грн
25000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CQC-QZ BC857CQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
34+9.17 грн
100+5.71 грн
500+3.92 грн
1000+3.46 грн
2000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CQC-QZ Виробник : NEXPERIA bc857xqc-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive 3-Pin DFN-D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CQC-QZ BC857CQC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.