BC857CQC-QZ Nexperia
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10490+ | 1.16 грн |
| 10639+ | 1.14 грн |
| 13889+ | 0.88 грн |
| 19231+ | 0.61 грн |
| 20000+ | 0.54 грн |
| 20271+ | 0.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857CQC-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC857CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 420hFE, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BC857CQC-QZ за ціною від 0.56 грн до 15.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC857CQC-QZ | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857CQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 420hFE Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857CQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857CQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857CQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A PNP BJT |
на замовлення 13455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857CQC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 360 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857CQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| BC857CQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive 3-Pin DFN-D |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
|
BC857CQC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 360 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |