Технічний опис BC857CQCZ Nexperia
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 850mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1412D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 360 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC857CQCZ за ціною від 3.04 грн до 21.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857CQCZ | Nexperia |
 Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A PNP BJT |
на замовлення 8928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|