Продукція > ONSEMI > BC857CWT1G
BC857CWT1G

BC857CWT1G ONSEMI


bc856bwt1-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 26097 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+8.19 грн
93+4.56 грн
111+3.82 грн
146+2.90 грн
250+2.68 грн
500+1.52 грн
3000+1.38 грн
21000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857CWT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC857CWT1G за ціною від 1.76 грн до 11.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.48 грн
55+5.55 грн
100+3.42 грн
500+2.32 грн
1000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
на замовлення 63437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.83 грн
51+6.38 грн
100+3.58 грн
500+2.32 грн
1000+2.04 грн
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+10.97 грн
114+7.21 грн
178+4.62 грн
500+2.76 грн
1500+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.97 грн
114+7.21 грн
178+4.62 грн
500+2.76 грн
1500+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+11.71 грн
98+7.64 грн
99+7.56 грн
154+4.66 грн
296+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.