| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 2.66 грн |
| 10000+ | 2.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857QASZ Nexperia
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC857QASZ за ціною від 2.61 грн до 26.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC857QASZ | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857QASZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857QASZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 33610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857QASZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 21656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857QASZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |