BC858A SHIKUES
Виробник: SHIKUESTransistor PNP; 220; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC858ALT1G; BC858AE6327HTSA1; BC858A RFG; BC858A-7-F; BC858A-TP; BC858A SHIKUES TBC858a SHK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC858A SHIKUES
Description: DIOTEC - BC858A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BC858A за ціною від 0.82 грн до 8.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC858A Код товару: 2026
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Infineon |
Транзистори > Біполярні PNPКорпус: SOT-23 fT: 150 MHz Uке, В: 30 V Uкб, В: 30 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 220 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC858A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 2613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC858A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC858A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP |
на замовлення 13588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BC858A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
BC858A-YAN PNP SMD transistors |
на замовлення 4391 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC858A | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
BC858A-DIO PNP SMD transistors |
на замовлення 2844 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23, -30V, -0.1A, PNP Transistor |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT SOT23,PNP,0.1A,30V,125-250HFE |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC858A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC858A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC858A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC858A | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |





