Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858ALT1G
BC858ALT1G

BC858ALT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30613+1.16 грн
100000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

Інші пропозиції BC858ALT1G за ціною від 0.97 грн до 8.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC858ALT1G BC858ALT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30613+1.16 грн
100000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30613+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30613+1.16 грн
100000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30613+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10715+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 10715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+4.10 грн
500+3.00 грн
1000+2.53 грн
3000+1.19 грн
6000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3433+4.13 грн
4703+3.01 грн
5556+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.16 грн
107+3.91 грн
187+2.23 грн
500+1.57 грн
1000+1.37 грн
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
61+4.94 грн
100+3.01 грн
500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 9429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1157500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 225mW
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1157500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G bc856alt1-d.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30613+1.16 грн
100000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G bc856alt1-d.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30613+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G bc856alt1-d.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30613+1.16 грн
100000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G bc856alt1-d.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30613+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G bc856alt1-d.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G bc856alt1-d.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G bc856alt1-d.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10715+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 10715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G bc856alt1-d.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
185+4.10 грн
500+3.00 грн
1000+2.53 грн
3000+1.19 грн
6000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G bc856alt1-d.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3433+4.13 грн
4703+3.01 грн
5556+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC856_7_8.PDF
BC858ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.16 грн
107+3.91 грн
187+2.23 грн
500+1.57 грн
1000+1.37 грн
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC856ALT1-D.PDF
BC858ALT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.54 грн
61+4.94 грн
100+3.01 грн
500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G bc856alt1-d.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC856ALT1-D.PDF
BC858ALT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 9429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G 2353764.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1157500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G 2353764.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 225mW
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1157500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G bc856alt1-d.pdf
BC858ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.