Продукція > ONSEMI > BC858AWT1G
BC858AWT1G

BC858AWT1G onsemi

BC856BWT1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.37 грн
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858AWT1G onsemi

Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC858AWT1G за ціною від 2.63 грн до 14.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC858AWT1G BC858AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.47 грн
156+5.28 грн
500+3.58 грн
1000+2.90 грн
5000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858AWT1G BC858AWT1G onsemi BC856BWT1-D.PDF Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 98380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.69 грн
41+7.48 грн
100+4.60 грн
500+3.14 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858AWT1G BC858AWT1G onsemi BC856BWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 10680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.40 грн
41+8.02 грн
100+4.30 грн
500+3.17 грн
1000+2.82 грн
3000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858AWT1G BC858AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+14.14 грн
98+8.47 грн
156+5.28 грн
500+3.58 грн
1000+2.90 грн
5000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858AWT1G ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC858AWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.47 грн
156+5.28 грн
500+3.58 грн
1000+2.90 грн
5000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858AWT1G BC856BWT1-D.PDF
BC858AWT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 98380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.69 грн
41+7.48 грн
100+4.60 грн
500+3.14 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858AWT1G BC856BWT1-D.PDF
BC858AWT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 10680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+13.40 грн
41+8.02 грн
100+4.30 грн
500+3.17 грн
1000+2.82 грн
3000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858AWT1G ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC858AWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
59+14.14 грн
98+8.47 грн
156+5.28 грн
500+3.58 грн
1000+2.90 грн
5000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.