BC858BHZGT116 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.93 грн |
| 1000+ | 4.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC858BHZGT116 ROHM
Description: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC858BHZGT116 за ціною від 4.07 грн до 22.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC858BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC858BHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-23, -30V -100mA, General Purpose Transistor |
на замовлення 3374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC858BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC858BHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC858BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BC858BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BC858BHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 210...480 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |