Продукція > ROHM > BC858BHZGT116
BC858BHZGT116

BC858BHZGT116 ROHM


bc858bhzg-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.97 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858BHZGT116 ROHM

Description: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC858BHZGT116 за ціною від 3.41 грн до 22.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor bc858bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1303+13.84 грн
2000+8.58 грн
3000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 1303
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 Виробник : ROHM Semiconductor bc858bhzg-e.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-23, -30V -100mA, General Purpose Transistor
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.31 грн
28+12.90 грн
100+6.97 грн
500+5.15 грн
1000+4.55 грн
3000+3.79 грн
6000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor bc858bhzg-e.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.14 грн
25+12.95 грн
100+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 Виробник : ROHM bc858bhzg-e.pdf Description: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.79 грн
61+14.03 грн
100+8.67 грн
500+5.97 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor bc858bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR bc858bhzg-e.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 210...480
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor bc858bhzg-e.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR bc858bhzg-e.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 210...480
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.