Продукція > ROHM > BC858BHZGT116
BC858BHZGT116

BC858BHZGT116 ROHM

bc858bhzg-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.08 грн
109+7.41 грн
500+6.24 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858BHZGT116 ROHM

Description: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC858BHZGT116 за ціною від 3.24 грн до 20.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 Rohm Semiconductor bc858bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1006+14.10 грн
1500+9.45 грн
1695+8.36 грн
1966+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 1006 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 ROHM bc858bhzg-e.pdf Description: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.41 грн
67+12.08 грн
109+7.41 грн
500+6.24 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BC858BHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PNP 30V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.67 грн
100+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BC858BHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT SOT-23 BIPOLAR BJT PNP
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.46 грн
100+6.77 грн
500+5.80 грн
1000+5.11 грн
3000+4.49 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 BC858BHZGT116 Rohm Semiconductor bc858bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 bc858bhzg-e.pdf
BC858BHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1006+14.10 грн
1500+9.45 грн
1695+8.36 грн
1966+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 1006 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 bc858bhzg-e.pdf
BC858BHZGT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
42+19.41 грн
67+12.08 грн
109+7.41 грн
500+6.24 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 datasheet?p=BC858BHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
BC858BHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.19 грн
26+11.67 грн
100+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 datasheet?p=BC858BHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
BC858BHZGT116
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 BIPOLAR BJT PNP
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.78 грн
26+12.46 грн
100+6.77 грн
500+5.80 грн
1000+5.11 грн
3000+4.49 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BHZGT116 bc858bhzg-e.pdf
BC858BHZGT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1924 шт
В кошику  од. на суму  грн.