Технічний опис BC858BLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC858BLT1G за ціною від 0.81 грн до 16.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 299155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 924000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 924000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 30499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 30499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP |
на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BC858BLT1G |
BC858BLT1G Транзисторы |
на замовлення 104 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BC858BLT1G |
BC858BLT1G Транзисторы |
на замовлення 1096 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 445+ | 1.70 грн |
| 748+ | 1.01 грн |
| 931+ | 0.81 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7615+ | 1.86 грн |
| 7732+ | 1.83 грн |
| 7854+ | 1.80 грн |
| 7979+ | 1.71 грн |
| 15000+ | 1.56 грн |
| 30000+ | 1.47 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 378+ | 2.00 грн |
| 383+ | 1.97 грн |
| 389+ | 1.94 грн |
| 395+ | 1.85 грн |
| 400+ | 1.68 грн |
| 500+ | 1.59 грн |
| 1000+ | 1.57 грн |
| 3000+ | 1.54 грн |
| 6000+ | 1.52 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 924000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.03 грн |
| 6000+ | 1.80 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 924000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6945+ | 2.04 грн |
| 7813+ | 1.81 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3185+ | 4.44 грн |
| 9000+ | 3.05 грн |
| 27000+ | 2.88 грн |
| 51000+ | 2.72 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 7.75 грн |
| 63+ | 4.78 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 8.04 грн |
| 82+ | 5.06 грн |
| 97+ | 4.31 грн |
| 122+ | 3.42 грн |
| 146+ | 2.85 грн |
| 200+ | 2.40 грн |
| 500+ | 1.95 грн |
| 1000+ | 1.69 грн |
| 1500+ | 1.57 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 30499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 8.44 грн |
| 191+ | 4.22 грн |
| 249+ | 3.23 грн |
| 500+ | 2.32 грн |
| 1500+ | 1.83 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 30499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.44 грн |
| 191+ | 4.22 грн |
| 249+ | 3.23 грн |
| 500+ | 2.32 грн |
| 1500+ | 1.83 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.55 грн |
| 48+ | 6.73 грн |
| 100+ | 3.17 грн |
| 500+ | 2.14 грн |
| 1000+ | 1.86 грн |
| 3000+ | 1.58 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| BC858BLT1G |
![]() |
BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 4 дні (днів)







