Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858BLT1G
BC858BLT1G

BC858BLT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 500855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17442+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 17442
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC858BLT1G за ціною від 0.75 грн до 9.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.56 грн
6000+1.33 грн
9000+1.24 грн
15000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7390+1.66 грн
7426+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 7390
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 500855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1.75 грн
630+1.11 грн
931+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.32 грн
1500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+4.46 грн
247+2.83 грн
250+2.80 грн
395+1.71 грн
3000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.64 грн
103+3.85 грн
139+2.83 грн
160+2.46 грн
705+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.07 грн
148+5.73 грн
239+3.55 грн
500+2.32 грн
1500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 19370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.16 грн
66+4.79 грн
108+2.93 грн
500+1.98 грн
1000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.17 грн
62+4.80 грн
84+3.40 грн
100+2.95 грн
705+1.58 грн
1938+1.49 грн
3000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi BC856ALT1_D-1802086.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 11245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
38+9.51 грн
68+5.12 грн
109+2.79 грн
500+2.11 грн
1000+1.89 грн
3000+1.51 грн
6000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.