Технічний опис BC858BLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC858BLT1G за ціною від 0.81 грн до 8.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 299155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 20668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 20668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G |
BC858BLT1G Транзисторы |
на замовлення 1096 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BC858BLT1G |
BC858BLT1G Транзисторы |
на замовлення 104 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 445+ | 1.69 грн |
| 708+ | 1.06 грн |
| 931+ | 0.81 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7043+ | 2.00 грн |
| 7937+ | 1.78 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7010+ | 2.01 грн |
| 7247+ | 1.95 грн |
| 7463+ | 1.89 грн |
| 7693+ | 1.77 грн |
| 15000+ | 1.58 грн |
| 30000+ | 1.47 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6977+ | 2.02 грн |
| 9000+ | 1.63 грн |
| 27000+ | 1.35 грн |
| 51000+ | 1.28 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.03 грн |
| 6000+ | 1.80 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 326+ | 2.31 грн |
| 334+ | 2.26 грн |
| 344+ | 2.19 грн |
| 353+ | 2.06 грн |
| 364+ | 1.85 грн |
| 500+ | 1.73 грн |
| 1000+ | 1.67 грн |
| 3000+ | 1.62 грн |
| 6000+ | 1.57 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 8.11 грн |
| 82+ | 5.10 грн |
| 97+ | 4.35 грн |
| 122+ | 3.45 грн |
| 146+ | 2.88 грн |
| 200+ | 2.43 грн |
| 500+ | 1.97 грн |
| 1000+ | 1.71 грн |
| 1500+ | 1.58 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC858BLT1G |
![]() |
BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| BC858BLT1G |
![]() |
BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)






