Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858BLT1G
BC858BLT1G

BC858BLT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10564+1.21 грн
12000+1.06 грн
12296+1.04 грн
12712+0.97 грн
15000+0.87 грн
30000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 10564
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC858BLT1G за ціною від 0.92 грн до 10.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.66 грн
6000+1.42 грн
9000+1.32 грн
15000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+4.36 грн
257+2.84 грн
259+2.81 грн
419+1.67 грн
424+1.53 грн
564+1.11 грн
1000+0.97 грн
3000+0.95 грн
6000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 19370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.70 грн
66+5.11 грн
108+3.12 грн
500+2.11 грн
1000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+9.47 грн
161+5.62 грн
255+3.55 грн
500+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G Виробник : ONSEMI bc856alt1-d.pdf BC858BLT1G PNP SMD transistors
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
32+10.28 грн
705+1.70 грн
1938+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.