Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858BLT1G
BC858BLT1G

BC858BLT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 500855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17442+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 17442
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC858BLT1G за ціною від 0.56 грн до 8.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.08 грн
1500+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 500855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.02 грн
285+2.12 грн
466+1.30 грн
662+0.88 грн
1000+0.70 грн
3000+0.56 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3178+3.84 грн
3276+3.73 грн
3371+3.62 грн
6000+3.38 грн
15000+3.04 грн
30000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3178
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+4.08 грн
153+3.97 грн
156+3.87 грн
161+3.63 грн
250+3.28 грн
500+3.06 грн
1000+2.97 грн
3000+2.88 грн
6000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.45 грн
103+3.76 грн
139+2.76 грн
160+2.40 грн
705+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 18310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
43+8.15 грн
72+4.74 грн
138+2.13 грн
1000+1.91 грн
3000+1.32 грн
24000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+8.67 грн
178+4.65 грн
350+2.36 грн
500+2.08 грн
1500+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.75 грн
62+4.98 грн
100+3.07 грн
500+2.08 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+8.94 грн
62+4.68 грн
84+3.31 грн
100+2.88 грн
705+1.52 грн
1938+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.