BC858BLT1G ON Semiconductor


bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17442+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 17442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC858BLT1G за ціною від 0.81 грн до 8.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC858BLT1G BC858BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+1.69 грн
708+1.06 грн
931+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7043+2.00 грн
7937+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 7043 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7010+2.01 грн
7247+1.95 грн
7463+1.89 грн
7693+1.77 грн
15000+1.58 грн
30000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 7010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6977+2.02 грн
9000+1.63 грн
27000+1.35 грн
51000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 6977 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.03 грн
6000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+2.31 грн
334+2.26 грн
344+2.19 грн
353+2.06 грн
364+1.85 грн
500+1.73 грн
1000+1.67 грн
3000+1.62 грн
6000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.11 грн
82+5.10 грн
97+4.35 грн
122+3.45 грн
146+2.88 грн
200+2.43 грн
500+1.97 грн
1000+1.71 грн
1500+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC858BLT1G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
445+1.69 грн
708+1.06 грн
931+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7043+2.00 грн
7937+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 7043 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7010+2.01 грн
7247+1.95 грн
7463+1.89 грн
7693+1.77 грн
15000+1.58 грн
30000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 7010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6977+2.02 грн
9000+1.63 грн
27000+1.35 грн
51000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 6977 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.03 грн
6000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
326+2.31 грн
334+2.26 грн
344+2.19 грн
353+2.06 грн
364+1.85 грн
500+1.73 грн
1000+1.67 грн
3000+1.62 грн
6000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC856_7_8.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.11 грн
82+5.10 грн
97+4.35 грн
122+3.45 грн
146+2.88 грн
200+2.43 грн
500+1.97 грн
1000+1.71 грн
1500+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF
BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT1G BC856ALT1-D.PDF
BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.