BC858C-7-F

BC858C-7-F Diodes Zetex


bc856a-bc858c.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858C-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC858C-7-F за ціною від 0.88 грн до 14.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Inc ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Zetex bc856a-bc858c.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Zetex bc856a-bc858c.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2675+3.04 грн
6000+2.71 грн
9000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 2675
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED bc856_7_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.38 грн
47+8.28 грн
59+6.51 грн
144+2.67 грн
817+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.73 грн
40+7.74 грн
100+4.77 грн
500+3.25 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011538025_1-2543623.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
на замовлення 21290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.05 грн
47+7.28 грн
106+2.80 грн
1000+2.50 грн
3000+2.28 грн
9000+1.99 грн
24000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.37 грн
117+7.09 грн
262+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED bc856_7_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.86 грн
28+10.31 грн
36+7.82 грн
100+3.20 грн
817+1.34 грн
2246+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Zetex bc856a-bc858c.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F Виробник : Diodes Inc ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Zetex bc856a-bc858c.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.