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Технічний опис BC858C-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC858C-7-F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BC858C-7-F | Diodes Incorporated |
 Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR |
на замовлення 2633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BC858C-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC858C-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC858C-7-F |
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Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC858C-7-F |
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Виробник: DIODES INC.
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC858C-7-F |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)