BC858C-7-F

BC858C-7-F Diodes Inc


ds11207.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858C-7-F Diodes Inc

Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC858C-7-F за ціною від 0.92 грн до 15.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Zetex ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3030000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 9000
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Zetex ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2859000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 9000
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Zetex ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2859000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 9000
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Zetex ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.45 грн
9000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Zetex ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7390+1.58 грн
9000+ 1.31 грн
Мінімальне замовлення: 7390
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3039000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.29 грн
6000+ 2.08 грн
9000+ 1.77 грн
30000+ 1.54 грн
75000+ 1.33 грн
150000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED bc856_7_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+2.69 грн
260+ 1.38 грн
500+ 1.25 грн
820+ 0.98 грн
2260+ 0.92 грн
Мінімальне замовлення: 140
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED bc856_7_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.23 грн
160+ 1.72 грн
500+ 1.5 грн
820+ 1.17 грн
2260+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3040672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.97 грн
31+ 9.02 грн
100+ 4.88 грн
500+ 3.59 грн
1000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 23
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011538025_1-2543623.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
на замовлення 22973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.45 грн
31+ 10.03 грн
100+ 3.73 грн
1000+ 2.6 грн
3000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 22
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
47+15.99 грн
68+ 11.13 грн
163+ 4.61 грн
500+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 47
BC858C-7-F Виробник : Diodes Inc ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC858C-7-F BC858C-7-F Виробник : Diodes Zetex ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній