Продукція > DIODES ZETEX > BC858C-7-F
BC858C-7-F

BC858C-7-F Diodes Zetex

bc856abc858c.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858C-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC858C-7-F за ціною від 2.60 грн до 13.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC858C-7-F BC858C-7-F Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F DIODES INCORPORATED bc856_7_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Current gain: 420...800
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.53 грн
50+8.24 грн
59+7.08 грн
100+4.34 грн
500+3.14 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.09 грн
39+7.71 грн
100+4.74 грн
500+3.24 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F Diodes Incorporated ds11207.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
на замовлення 4325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F BC858C-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F ds11207.pdf
BC858C-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F bc856_7_8.pdf
BC858C-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Current gain: 420...800
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.53 грн
50+8.24 грн
59+7.08 грн
100+4.34 грн
500+3.14 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F ds11207.pdf
BC858C-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.09 грн
39+7.71 грн
100+4.74 грн
500+3.24 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F ds11207.pdf
BC858C-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
на замовлення 4325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC858C-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858C-7-F DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC858C-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.