BC858CDXV6T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 3.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC858CDXV6T1G onsemi
Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.
Інші пропозиції BC858CDXV6T1G за ціною від 2.10 грн до 18.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC858CDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC858CDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 5009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC858CDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual PNP |
на замовлення 6865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC858CDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC858CDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC858CDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BC858CDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC858CDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
BC858CDXV6T1G PNP SMD transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
BC858CDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858CDXV6T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, 500 mW, SOT-563, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 420 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Wandlerpolarität: Zweifach pnp Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |