BC858CE6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12397+ | 0.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC858CE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції BC858CE6327HTSA1 за ціною від 1.06 грн до 3.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 169480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 46480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | Виробник : ON Semiconductor |
BC858CE6327HTSA1 |
на замовлення 64950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC858CE6327HTSA1 - BC858 - GENERAL PURPOSE TRANSISTORtariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
BC858CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR |
товару немає в наявності |

