BC858CLT1G ON Semiconductor
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14706+ | 0.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC858CLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC858CLT1G за ціною від 0.6 грн до 20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC858CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 3605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 25900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3605 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 49822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP |
на замовлення 32514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Tranzystor PNP; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858CLT3G; BC858CLT1G TBC858c ONS кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858CLT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 174190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC858CLT1G (SOT-23, ON) Код товару: 150832 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|