Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > BC858CLT1G (SOT-23, ON)

BC858CLT1G (SOT-23, ON)

Код товару: 150832
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+0.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BC858CLT1G (SOT-23, ON) за ціною від 0.92 грн до 18.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC858CLT1G BC858CLT1G ON-Semiconductor info-tbc858c%20ons.pdf Tranzystor PNP; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858CLT3G; BC858CLT1G TBC858c ONS
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.58 грн
6000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5339+2.66 грн
6025+2.35 грн
27000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 5339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3650+3.88 грн
4298+3.30 грн
4871+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 45129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
59+5.09 грн
100+3.14 грн
500+2.13 грн
1000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.34 грн
136+5.93 грн
220+3.67 грн
500+2.83 грн
1500+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.34 грн
136+5.93 грн
220+3.67 грн
500+2.83 грн
1500+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.04 грн
43+7.46 грн
100+3.45 грн
500+2.35 грн
1000+2.00 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G info-tbc858c%20ons.pdf
BC858CLT1G
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor PNP; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858CLT3G; BC858CLT1G TBC858c ONS
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC856ALT1-D.PDF
BC858CLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.58 грн
6000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G bc856alt1-d.pdf
BC858CLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5339+2.66 грн
6025+2.35 грн
27000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 5339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G bc856alt1-d.pdf
BC858CLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3650+3.88 грн
4298+3.30 грн
4871+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC856ALT1-D.PDF
BC858CLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 45129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
37+8.54 грн
59+5.09 грн
100+3.14 грн
500+2.13 грн
1000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G 2353764.pdf
BC858CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
87+9.34 грн
136+5.93 грн
220+3.67 грн
500+2.83 грн
1500+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G 2353764.pdf
BC858CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.34 грн
136+5.93 грн
220+3.67 грн
500+2.83 грн
1500+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC856ALT1-D.PDF
BC858CLT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.04 грн
43+7.46 грн
100+3.45 грн
500+2.35 грн
1000+2.00 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.