Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858CLT1G
BC858CLT1G

BC858CLT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858CLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC858CLT1G за ціною від 0.60 грн до 40.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7463+1.67 грн
7895+1.58 грн
9000+1.47 грн
15000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 7463
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 10918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.70 грн
6000+1.45 грн
9000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.79 грн
6000+1.69 грн
9000+1.58 грн
15000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.83 грн
6000+1.72 грн
9000+1.60 грн
15000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6494+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 6494
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6466+1.93 грн
6667+1.87 грн
6881+1.81 грн
7143+1.68 грн
15000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 6466
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14219+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 14219
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14219+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 14219
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.56 грн
263+2.72 грн
314+2.27 грн
324+2.12 грн
334+1.91 грн
500+1.77 грн
1000+1.72 грн
3000+1.66 грн
6000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.34 грн
6000+3.37 грн
9000+3.23 грн
27000+2.55 грн
51000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.82 грн
85+4.67 грн
122+3.25 грн
145+2.75 грн
500+1.88 грн
1000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.19 грн
51+5.82 грн
74+3.90 грн
100+3.30 грн
500+2.26 грн
1000+1.96 грн
3000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 10918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.22 грн
61+5.23 грн
100+3.18 грн
500+2.16 грн
1000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 17776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+9.14 грн
66+5.33 грн
103+2.97 грн
500+2.13 грн
1000+1.82 грн
3000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G (SOT-23, ON)
Код товару: 150832
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+4.00 грн
100+0.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc856alt1-d.pdf Tranzystor PNP; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858CLT3G; BC858CLT1G TBC858c ONS
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.