Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858CLT1G
BC858CLT1G

BC858CLT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858CLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC858CLT1G за ціною від 0.60 грн до 10.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10345+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 10345
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.22 грн
14286+0.86 грн
14424+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.22 грн
13514+0.91 грн
13637+0.90 грн
15000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.42 грн
6000+1.33 грн
9000+1.17 грн
15000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
405+1.50 грн
409+1.48 грн
455+1.28 грн
468+1.16 грн
552+0.94 грн
1000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8022+1.52 грн
12000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 8022
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.87 грн
6000+1.59 грн
9000+1.49 грн
15000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5245+2.33 грн
10417+1.17 грн
10564+1.16 грн
27000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 5245
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.44 грн
1500+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
57+7.45 грн
107+3.69 грн
158+2.50 грн
188+2.10 грн
500+1.34 грн
691+1.33 грн
1901+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : onsemi BC856ALT1_D-1802086.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 31772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
41+8.72 грн
64+5.47 грн
100+3.09 грн
500+2.19 грн
1000+1.74 грн
3000+1.43 грн
6000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G (SOT-23, ON)
Код товару: 150832
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+1.00 грн
100+0.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+8.94 грн
64+4.60 грн
95+3.00 грн
113+2.52 грн
500+1.61 грн
691+1.59 грн
1901+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 17909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.98 грн
56+5.66 грн
100+3.49 грн
500+2.36 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+9.06 грн
145+5.86 грн
234+3.62 грн
500+2.44 грн
1500+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc856alt1-d.pdf Tranzystor PNP; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858CLT3G; BC858CLT1G TBC858c ONS
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.