Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858CLT3G
BC858CLT3G

BC858CLT3G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11279+1.10 грн
11628+1.07 грн
12000+1.03 грн
12397+0.97 грн
15000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 11279
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858CLT3G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 300 mW.

Інші пропозиції BC858CLT3G за ціною від 0.90 грн до 8.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC858CLT3G BC858CLT3G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.40 грн
20000+1.20 грн
30000+1.13 грн
50000+0.99 грн
70000+0.94 грн
100000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT3G BC858CLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+3.81 грн
366+1.94 грн
367+1.93 грн
580+1.18 грн
584+1.08 грн
602+1.01 грн
1000+0.98 грн
3000+0.95 грн
6000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT3G BC858CLT3G Виробник : onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 78657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
47+7.68 грн
91+3.87 грн
143+2.14 грн
500+1.68 грн
1000+1.45 грн
2500+1.22 грн
5000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT3G BC858CLT3G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 122975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.28 грн
61+5.26 грн
100+3.21 грн
500+2.17 грн
1000+1.90 грн
2000+1.67 грн
5000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT3G BC858CLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT3G BC858CLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT3G BC858CLT3G Виробник : ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC858CLT3G - Transistor, PNP, 30V, 0.1A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 520
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT3G BC858CLT3G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.